| 漏源電壓（Vdss） | 60V | 連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時） | 380mA |
| 柵源極閾值電壓 | 2.5V @ 1mA | 漏源導通電阻 | 2Ω @ 500mA,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 370mW | 類型 | N溝道 |
| FET 類型 | N 通道 | 技術 | MOSFET（金屬氧化物） |
| 漏源電壓（Vdss） | 60V | 25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) | 380mA（Ta） |
| 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） | 5V，10V | 不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值） | 2 歐姆 @ 500mA，10V |
| 不同 Id 時 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 1mA | 不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值） | .3nC @ 4.5V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值） | 50pF @ 25V |
| FET 功能 | - | 功率耗散（最大值） | 370mW（Ta） |
| 工作溫度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安裝類型 | 表面貼裝型 |
| 供應商器件封裝 | SOT-23-3 | 封裝/外殼 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
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