晶體管-雙極-BJT-陣列-NPN-PNP-40V-60V-600mA-300MHz-200MHz-200mW
| 額定功率 | 200mW | 集電極電流Ic | 600mA |
| 集射極擊穿電壓Vce | 40V,60V | 晶體管類型 | NPN,PNP |
| 晶體管類型 | NPN，PNP | 電流 - 集電極 (Ic)（最大值） | 600mA |
| 電壓 - 集射極擊穿（最大值） | 40V，60V | 不同 Ib、Ic 時 Vce 飽和壓降（最大值） | 1V @ 50mA，500mA / 1.6V @ 50mA，500mA |
| 電流 - 集電極截止（最大值） | 10nA（ICBO） | 不同 Ic、Vce 時 DC 電流增益 (hFE)（最小值） | 100 @ 150mA，10V |
| 功率 - 最大值 | 200mW | 頻率 - 躍遷 | 300MHz，200MHz |
| 工作溫度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安裝類型 | 表面貼裝型 |
| 封裝/外殼 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | 供應商器件封裝 | SOT-363 |
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